Segondè konduktivite tèmik DPAK (TO-252AA) SiC Dyòd
Merit dyòd SiC DPAK (TO-252AA) YUNYI a:
1. Pri konpetitif ak bon jan kalite wo nivo
2. Segondè efikasite pwodiksyon ak tan plon kout
3. Ti gwosè, ede optimize espas tablo sikwi a
4. ki estab ak serye anba divès anviwònman natirèl
5. Oto-devlope chip ki ba-pèt

Pwosedi Pwodiksyon Chip:
1. Enpresyon mekanikman (enpresyon trè egzak otomatik wafer)
2. Otomatik premye-grave (Otomatik ekipman grave,CPK> 1.67)
3. Tès polarite otomatik (tès polarite egzak)
4. Otomatik Asanble (Oto-devlope Otomatik Precis Asanble)
5. soude (pwoteksyon ak melanj de azòt ak idwojèn vakyòm soude)
6. Otomatik Dezyèm-grave (Otomatik Dezyèm-grave ak Ultra-pi dlo)
7. Otomatik Kole (Kole Inifòm ak Kalkil egzak yo reyalize pa Ekipman Otomatik Precis Kole)
8. Tès tèmik otomatik (seleksyon otomatik pa tèsteur tèmik)
9. Tès Otomatik (Tès Multifonksyonèl)


Paramèt pwodwi yo:
Nimewo Pati | Pake | VRWM V | IO A | IFZM A | IR μa | VF V |
ZICRD5650 | DPAK | 650 | 5 | 60 | 60 | 2 |
ZICRD6650 | DPAK | 650 | 6 | 60 | 50 | 2 |
Z3D06065E | DPAK | 650 | 6 | 70 | 3 (0.03 tipik) | 1.7 (1.5 tipik) |
ZICRD10650CT | DPAK | 650 | 10 | 60 | 60 | 1.7 |
ZICRD10650 | DPAK | 650 | 10 | 110 | 100 | 1.7 |
ZICRD101200 | DPAK | 1200 | 10 | 110 | 100 | 1.8 |
ZICRD12600 | DPAK | 600 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
ZICRD12650 | DPAK | 650 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
Z3D03065E | DPAK | 650 | 3 | 46 | 2 (0.03 tipik) | 1.7 (1.4 tipik) |
Z3D10065E | DPAK | 650 | 10 | 115 | 40 (0.7 tipik) | 1.7 (1.45 tipik) |
Z4D04120E | DPAK | 1200 | 4 | 46 | 200 (20 tipik) | 1.8 (1.5 tipik) |
Z4D05120E | DPAK | 1200 | 5 | 46 | 200 (20 tipik) | 1.8 (1.65 tipik) |
Z4D02120E | DPAK | 1200 | 2 | 44 | 50 (10 tipik) | 1.8 (1.5 tipik) |
Z4D10120E | DPAK | 1200 | 10 | 105 | 200 (30 tipik) | 1.8 (1.5 tipik) |
Z4D08120E | DPAK | 1200 | 8 | 64 | 200 (35 tipik) | 1.8 (1.6 tipik) |
Z3D10065E2 | DPAK | 650 | 10 | 70 (pa janm) | 8 (0.002 tipik) (pa janm) | 1.7 (1.5 tipik) (pa janm) |