Ultra-konstan Sifas Mount PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
Avantaj nan DO-218AB SM8S:
1. Akòz teknoloji Chimik Etching Metòd, rezilta negatif koupe dirèk vle di elimine.
2. Pwisan nan vag ranvèse paske nan pi gwo chip pase tokay.
3. Trè ba to echèk nan diferan move tan ak zòn
4. Apwouve pa estanda AEC-Q101
5. Fonksyon Dyòd yo optimize, benefisye de pwoteksyon syantifik sou PN junction.
Karakteristik prensipal yo:
VBR: 11.1 V pou 52.8 V
VWM: 10 V a 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ max.: 175 °C
Polarite: Uni-direksyon
Pake: DO-218AB
Pwosedi Pwodiksyon Chip la
1. Otomatik Enpresyon（Ultra presi otomatik wafer enprime)
2. Otomatik Premye-grave（Ekipman Etching otomatik, CPK> 1.67)
3. Tès polarite otomatik (tès polarite egzak)
4. Otomatik Asanble （Oto-devlope Otomatik Precis Asanble）
5. Soudure (Pwoteksyon ak melanj de Azòt & Idwojèn
Soudage vakyòm)
6. Otomatik Dezyèm-grave (Otomatik Dezyèm-grave ak Ultra-pi dlo)
7. Otomatik Kole (Kole Inifòm ak Kalkil egzak yo reyalize pa Ekipman Otomatik Precis Kole)
8. Tès tèmik otomatik (seleksyon otomatik pa tèsteur tèmik)
9. Otomatik tès (Multifonksyon tèsteur)
